AOB12N65L

功能描述:MOSFET NCH 650V 12A TO263

制造商:alpha & omega semiconductor inc.

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2150pF @ 25V

功率 - 最大值:278W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263(D2Pak)

标准包装:1

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